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Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。2006年，Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。今日，Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。
Everspin MR10Q01允许对存储器进行随机读写操作，而且没有写入延迟。适合于必须通过一小部分I/O引脚快速存储数据和程序的应用。 不仅在读写耐久性方面表现出色，而且还拥有与串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，并且没有写入延迟。
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VDD |
VDDQ |
Speed |
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Package |
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| 1Mb |
MR10Q010SC |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tray |
16-SOIC |
暂无 |
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MR10Q010SCR |
3.3v |
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40MHz/104MHz |
Commercial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
暂无 |
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MR10Q010CSC |
3.3v |
1.8 |
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Industrial |
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16-SOIC |
暂无 |
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Industrial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
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3.3v |
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Commercial |
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24-BGA |
暂无 |
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Commercial |
Tape & Reel |
24-BGA |
暂无 |
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Industrial |
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Extended |
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