富士通铁电FRAM 4M Bit MB85R4002A

富士通FRAM是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
 
MB85R4002A是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，由262,144字×16位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制造。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R4002A中使用的存储单元可用于1010个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。MB85R4002A使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM接口。
 
引脚封装
   
特点
•位配置：262,144字×16位
•LB和UB数据字节控制
•读写续航力：1010次/字节
•数据保留：10年（+ 55°C），55年（+ 35°C）
•工作电源电压：3.0 V至3.6 V
•低功耗运行：工作电源电流15 mA（典型值），待机电流50μA（典型值）
•工作环境温度范围：−40°C至+ 85°C
•封装：48引脚塑料TSOP（FPT-48P-M48）
符合RoHS
 
非易失性存储器FRAM，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且，写入时间较通用EEPROM及闪存要短，具有写入能耗低的优点。富士通FRAM代理英尚微电子为用户提供应用解决方案等产品服务。


本文关键词： FRAM

相关文章：FRAM在电池管理系统BMS应用

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。