伟凌创芯内存SRAM存储芯片供货商

内存已成为超低功耗物联网(IoT)芯片设计中日益重要的组成部份。
 
超低功耗运作是物联网应用中一项重要的可持续性要求，这对于实现无线物联网芯片也至关重要，特别是可携式和远程物联网应用，只有在小电池上运行多年，才具有环境和商业上的可行性。
 
low power sram主要是指低功耗国产SRAM存储器，应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品，作为静态随机访问存储器的一种类别，静态随机访问存储器（SRAM）作为最重要的半导体存储器，广泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制造工艺的不断提升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。
 
安徽伟凌创芯是以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注SRAM存储芯片、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
 
随着无线芯片和MCU功能变得日益强大、也越来越智慧，它们需要嵌入更多内存以提高速度并减少延迟。在无线芯片制造商和MCU供货商之间预计将会出现更多这一类的收购交易。另一方面，这也象征着服务于广泛物联网应用的MCU和SoC设计发展的新阶段。

伟凌创芯(EMI)低功耗SRAM

Part Number	Density	Org.	VCC	Access Times	Temp.	Package
EMI501HB08PM45I	1Mbit	128Kx8bit	4.5V~5.5V	45ns	-40~85℃	32SOP
EMI501HB08PM-55I	1Mbit	128Kx8bit	4.5V~5.5V	55ns	-40~85℃	32SOP
EMI501NL16VM-55I	1Mbit	64Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI501NL16LM-55I	1Mbit	64Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48BGA
EMI502NL16VM-55I	2Mbit	128Kx16bit	2.3V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI502NL16LM-55I	2Mbit	128Kx16bit	2.3V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48BGA
EMI504NL08WM-55IT	4Mbit	512Kx8bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	32sTSOP1
EMI504NL08PM-55IT	4Mbit	512Kx8bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	32SOP
EMI504HL08WM-55I	4Mbit	512Kx8bit	4.5V~ 5.5V	55ns	-40~85℃	32sTSOP1
EMI504HL08PM-55I	4Mbit	512Kx8bit	4.5V~ 5.5V	55ns	-40~85℃	32SOP
EMI504HL08YM-55I	4Mbit	512Kx8bit	4.5V~ 5.5V	55ns	-40~85℃	32TSOP2
EMI504NL16VM-55IT	4Mbit	256Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI504NL16LM-55IT	4Mbit	256Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48FBGA
EMI508NL08VM-55IT	8Mbit	1Mbx8bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI508NL08LM-55IT	8Mbit	1Mbx8bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48FBGA
EMI508NL16VM-55I	8Mbit	512Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI508NL16LM-55I	8Mbit	512Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48FBGA

 

本文关键词：伟凌创芯,SRAM

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