三星 3D NAND 快闪存储器新厂上半年投产

        近日三星电子宣布，设立在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。
        三星新存储芯片厂于 2015 年动土，共投入 15．6 万亿韩元（约 144 亿美元）建厂，为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。
        新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器?？焐链娲⑵骺扇〈秤才?，并广泛应用于智能手机、数码相机与其他 USB 界面储存设备。
        市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储器龙头，受惠于供给吃紧、平均报价（ASP）飙升，三星 NAND 快闪存储器当季报价增加 5％、单位出货量季增 11－15％，推升营收成长近两成（19．5％），市占率来到 37．1％。东芝同期间 NAND 存储器市占率达 18．3％，暂居第二。Western Digital 紧追在后，仅差东芝 0．6 个百分点。

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