非易失性MRAM的四大优势

    MRAM技术在理论上具备超越DRAM的存取速度，接近SRAM的性能，并且在断电后能够保持数据不丢失。Everspin MRAM产品具有抗热消磁功能的eMRAM技术，该技术能够在150摄氏度的高温下保持数据长达数十年，并采用了22纳米制程技术。
 
    相较于现有的FLASH、静态SRAM、动态DRAM，MRAM展现了卓越的性能。在“非挥发性”特性上，目前仅有MRAM和FLASH具备此功能；而在“随机存取”特性上，FLASH不具备，仅MRAM、DRAM、SRAM具备。除此之外，MRAM还具备以下优势：
 
    首先，在芯片面积方面，MRAM与FLASH同属于小尺寸芯片，占用空间最??；DRAM芯片面积属于中等尺寸，而SRAM芯片则属于大尺寸，占用空间最大。
 
    其次，在写入次数方面，MRAM、DRAM以及SRAM均能实现约无限次的写入，而FLASH的写入次数大约为10^6次。
 
    第三，在嵌入式设计规格方面，DRAM、SRAM、FLASH通常具有较低的良率，需要增加芯片面积以适应设计规格；而MRAM则具备高性能，无需增加芯片面积的特殊设计。
 
    第四，在读取速度方面，MRAM和SRAM的读取速度最快，均为25～100纳秒，MRAM略快于SRAM；DRAM的读取速度为50～100纳秒，属于中等速度；相比之下，FLASH的读取速度最慢。
 
    最后，在耗电量方面，MRAM和SRAM都具有低耗电的优势，FLASH的耗电量属于中等水平，而DRAM则具有较高的耗电量。英尚微代理供应Serial MRAM、Parallel MRAM、Quad Serial MRAM、xSPI STT-MRAM、DDR3/DDR4 ST-MRAM等各种系列和容量的MRAM存储芯片。


本文关键词：MR0A16A,MRAM

相关文章：适用于PLC的存储MRAM芯片MR0A16A

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。