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    汽车级扩展高可靠性MRAM

    2025-05-13 15:11:25

      随着嵌入式系统不断挑战可靠性和耐用性的极限,内存技术必须跟上极端操作环境的步伐,最新的高可靠性PERSYST MRAM为设计人员提供了一种稳定、快速、可扩展的静态RAM或NOR flash替代方案,确保在汽车、航空航天和工业应用中取得成功。
     
      Everspin PERSYST MRAM因其高耐用性和可靠性而被广泛应用于关键存储领域。作为其温度范围内最快的MRAM,最新的PERSYST扩展提供了下一代嵌入式系统所需的性能和耐用性。EM064LX HR和EM128LX HR的工作温度范围为-40℃至+125℃,符合AEC-Q100 1级汽车应用标准。
     
      64Mb和128Mb的容量–针对关键任务系统进行了优化。
      四通道SPI接口–行业标准兼容性,易于集成。
      与NOR闪存相比,写入速度更快–降低实时应用的系统开销。
      更简单的架构–无需擦除,提高了系统利用率。
      EM064LX和EM128LX HR的工程样品将在2025年6月,样品可洽Everspin 代理英尚微电子。

    本文关键词:MRAM

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