Everspin 16位并口并行MRAM存储芯片MR4A08BYS35

Everspin Technologies MR4A08BYS35并行MRAM具有兼容SRAM的35ns读/写周期，并拥有出色耐久性。Everspin Technologies MR4A08BYS35为2,097,152字 x 8位的16,777,216位非易失性并行存储器 (MRAM)。 

 

这款并口并行MRAM存储芯片数据保持期长达20年以上而不会丢失数据，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供?；?，以防止在非工作电压期间写入。

 

MR4A08BYS35采用400-mil 44引脚薄小外形TSOP2封装，或10 mm x 10 mm 48引脚球栅阵列 (BGA) 封装（球中心距为0.75mm）。温度范围在商业级（0至+70 °C）、工业级（-40至+85 °C）与扩展级（-40至+105 °C）温度范围内工作，并在整个温度范围内保持高度可靠的数据存储能力。

 

 

特性
 

• +3.3V电源

• 35 ns快速读/写周期

• SRAM兼容时序

• 出色的耐读/写能力

• 在工作温度范围内数据保持期长达20年以上而不会丢失

• 符合RoHS标准的小外形BGA和TSOP封装

 

优势
 

• 一个存储器即可替代系统中的闪存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，获得更简单、高效的设计

• 替代电池供电的SRAM，提高可靠性

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
16Mb	1Mx16	MR4A16BYS35	54-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCYS35	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文关键词：并行MRAM

 

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