Everspin 4Mb并行MRAM芯片MR2A16AYS35
2018-05-25 14:36:44
Everspin Technologies公司是全球领先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的设计，制造领导者，其市场和应用领域的数据持久性和完整性 ，低延迟和安全性至关重要。 凭借在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场部署的超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品，Everspin建立了世界上MRAM用户最强大，发展最快的基础。
这款4Mb MRAM的引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR2A16A目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。
MR2A16A采用400-mil、44引脚薄小外形TSOP2封装，或8 mm x 8 mm 48引脚球栅阵列 (BGA) 封装（球中心距为0.75mm）。这两种封装形式均与较小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。
特性
256K x 16 MRAM存储器 (MR2A16A)
35ns的快速读/写周期
SRAM兼容时序，采用现有的SRAM控制器，而无需重新设计
出色的耐读/写能力
在工作温度范围内数据保持期长达20年以上而不会丢失
一个存储器即可替代系统中的闪存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，获得更简单、高效的设计
用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案，无需组装电池，也了提高可靠性
3.3V电源
掉电时提供自动数据?；すδ?/div>
商业、工业以及汽车级温度范围
符合RoHS标准的SRAM TSOPII封装
符合RoHS标准的SRAM BGA封装，电路板面积缩小3倍
?型号表如下
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +125℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
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