Everspin为高性能存储系统首次推出Spin-Torque MRAM
2018-06-12 16:27:47
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
Everspin领先采样64Mb DDR3 ST-MRAM;与合作伙伴合作准备设计和制造生态系统
亚利桑那州钱德勒市 - 2012年11月12日 -
Everspin Technologies在业界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM），这是一种新型高性能和超低延迟内存，预计将改变存储架构并有助于推动摩尔定律的不断演变。
STT-MRAM在速度、面积、写入次数和功耗方面能够达到较好的折中，因此被业界认为是构建下一代非易失性缓存和主存的理想器件。STT-MRAM的应用前景并不局限于传统的计算机存储体系，还能够扩展到其他诸多领域，甚至有望成为通用存储器。例如，宝马公司在发动机控制?？椴捎肕RAM以保证数据在断电情况下不丢失。鉴于磁性存储具有抗辐射的优势，空客公司在A350的飞行控制系统中采用MRAM以防止射线造成数据破坏。此外，在物联网和大数据等新兴应用领域，泛在的传感器终端需要搜集海量数据，为节省存储功耗，使用非易失性存储器势在必行，STT-MRAM以其相对优良的性能成为热门的候选器件
产品列表：
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0 ℃to +70℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40 to +105C |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0D08BMA45 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0DL08BMA45 |
48-BGA |
2.7VDD min, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
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