Everspin MR0A16ACMA35 并行MRAM芯片

 

Everspin Technologies是一家开发和制造磁性RAM或磁阻随机存取存储器（MRAM）的公共半导体公司，其中包括独立和嵌入式MRAM产品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。 MRAM具有类似于标准随机存取存储器（RAM）的性能特征，同时还具有非易失性存储器的持久性，这意味着如果从系统中移除电源，它不会失去其电荷或数据。 这一特性使MRAM适用于大量嵌入式应用，如需要性能和持久性的汽车和工业应用。

Everspin科技公司一款并行MRAM芯片MR0A16ACMA35，芯片的工作电压为3.3V，封装48-BGA球栅阵列封装，工作温度范围-40℃ to +85℃，属于工业级芯片，具有高可靠性以及有无限的写入周期及35ns读写时间和SRAM接口时序。典型的应用包括计算机存储系统及服务器、工业自动化和机器人、电能管理、交通以及军用/航空系统。

以下容量为1Mb的并口MRAM芯片型号参考：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃

 

本文关键词：Everspin

 

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