Everspin并口磁性MRAM存储芯片MR0D08BMA45
2018-06-22 10:02:47
Everspin科技公司成立于2006年，从飞思卡尔半导体公司独立分离出来，成为一家专注于研发开发MRAM磁性存储芯片的半导体科技公司，目前Everspin科技公司产品线包括串行SPI MRAM，256Kb并行MRAM，1Mb并行MRAM， 4Mb并行MRAM，16Mb并行MRAM,STT-MRAM等产品，产品应用数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。
Everspin其中1Mb并行MRAM产品MR0D08BMA45容量：1Mb数据结构：128Kx8总线速度：35ns工作电压：3.3V工作温度：C,M（-0~+70摄氏度）8位并行总线接口，数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供?；?，以防止在非工作电压期间写入。
以下为EVERSPIN并口mram的型号：
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0 ℃to +70℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40 to +105C |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0D08BMA45 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0DL08BMA45 |
48-BGA |
2.7VDD min, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
本文关键词：
Everspin
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