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    并行mram芯片MR256DL08BMA45

    2018-07-12 14:58:54

    磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated MagneTIc)产品的领导厂商Everspin科技公司推出一款并行MRAM芯片产品,型号为:MR256DL08BMA45,该器件没有写入延迟,时钟速度高达40mhz,本质上具有无限耐用性以及超过20年的数据保存。该ic采用标准并行总线接口,工作电压为2.7~3.6v,典型睡眠电流为3ua。器件采用44-TSOP标准封装,工作温度为-40℃ to +125℃。是一款属于商业级产品,可以在温度条件严苛的条件下工作,保持数据不丢失的特性。

    MRAM具有与标准随机存取存储器(RAM)类似的性能特征,同时还具有非易失性存储器的持久性,这意味着如果从系统中移除电源,其不会丢失其电荷或数据。这一特性使MRAM适用于大量嵌入式应用,如需要性能和持久性的汽车和工业应用。

    以下是EVERSPIN并口MRAM的型号:

    Density
    Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
    256Kb 32Kx8 MR256A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
    256Kb 32Kx8 MR256A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
    256Kb 32Kx8 MR256A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
    256Kb 32Kx8 MR256D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
    256Kb 32Kx8 MR256DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
    256Kb 32Kx8 MR256A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
    256Kb 32Kx8 MR256A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃

     

    本文关键词:Everspin

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