MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。MR25H10提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。
 
与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在内存中随机发生，而两次写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10是理想的存储器解决方案。
 
MR25H10提供5mmx6mm8引脚DFN封装或5mmx6mm8引脚DFN小标志封装。两者均与串行EEPROM，闪存和FeRAM产品兼容。该系列产品中的MR25H10CDF，MR25H10CDC可用于替换Cypress的型号FM24V10.
 
MR25H10可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40°至+85°C）和AEC-Q1001级（-40°C至+125°C）工作温度范围选项。
 
对于必须使用最少数量的引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10是理想的mram芯片?？商峁〢EC-Q1001级合格选项。40MHz的读写速度，具有无限的耐力。数据非易失性，保留20年。数据保留掉电。符合RoHS的软件包。
 
1Mb串行SPI MRAM
•无写入延迟
•无限的写续航力
•数据保留超过20年
•断电时自动数据?；?br /> •块写?；?br /> •快速，简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供8引脚DFN或8引脚DFN符合RoHS标准的小标志
包装
•直接替换串行EEPROM，闪存，FeRAM
•AEC-Q1001级选件

1Mb串口MRAM芯片其他型号如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1

我司供应不同容量的MRAM芯片产品，型号可参考以下链接：

http://www.tzjinxuan.cn/list-180-1.html

 本文关键词：everspin  SPI MRAM  MR25H10 

相关文章：everspin自旋转矩MRAM技术

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。