?Microchip SPI串行SRAM和NVSRAM器件

Microchip的SRAM和NVSRAM系列（SPI串行SRAM和NVSRAM设备）提供了一种轻松添加外部RAM的方式，且具有以下特性功能
 
特性
低功耗CMOS技术：4μA最大待机电流
 
标准4引脚SPI接口：芯片选择、数据输入、数据输出和时钟
 
无限写入存储器、零写入时间
 
提供备用电池（512Kb、1Mb）
 
32字节页面
 
高速SDI(2x)和SQI(4x)模式支持，高达80Mb/s
 
工业温度范围：-40°C至+85°C
 
小型8引线SOIC、TSSOP和PDIP封装
 
Microchip的串行SRAM系列提供了一种几乎能在任何应用上添加外置RAM的方法，这种方法成本相对低廉、操作简单。相比传统并行SRAM，这些8引脚串行器件的功耗更低，所用I/O连接数量更少。利用这些器件，设计人员可以使用更小的微控制器，而无需仅仅为了获得更大的板载RAM而改用更大的器件。零写入周期时间使这些器件非常适合于将图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频和其它数据密集型功能卸载至独立SRAM。与标准SPI相比，SDI和SQI允许使用2倍和4倍数据速率。Microchip的SPI兼容型串行SRAM器件有64、256、512和1024Kb四种容量供用户选择。这些器件以低功耗实现高速性能，非常适合需要更大RAM的嵌入式应用。
 
此外，这些512Kb和1Mb器件还具有Vbat引脚用于电池备份，因此当外部电池或超级电容器连接到该引脚时，使器件具有非易失性。这些串行NVSRAM器件具备无限使用寿命和瞬时写功能，对于诸如量表、黑盒和数据记录器之类应用特别有用。

Microchip串行SRAM系列如下表

Density	Part number	Voltage	Speed(MHz)	Temp.-Range	PKG
1Mb	23A1024	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
1Mb	23LC1024	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
1Mbit	23LCV1024	2.5 - 5.5V	20	-40°C to +85°C	SPI,SDI
512Kb	23A512	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
512Kb	23LC512	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
512Kbit	23LCV512	2.5 - 5.5V	20	-40°C to +85°C	SPI,SDI
256Kb	23A256	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
256Kb	23K256	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
64Kb	23A640	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
64Kb	23K640	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP

 
 本文关键词：串行SRAM

上一篇文章：STT-MRAM取代DRAM

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。