Everspin AEC认证的汽车应用MRAM

MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。
 
下面介绍Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
 
MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本

 
•以全总线速度保存数据
•意外断电后立即恢复状态
•提供AEC Q-100合格的1级（-40 / 125°C）和3级（-40 / 85°C）
?；び屑壑档氖莶⒔档统杀綧RAM内存是保留宝贵的车辆数据，简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。

 
?；け笫莸淖罴呀饩龇桨?br /> •不需要额外的内存用于磨损均衡
•消除了昂贵的电容器
•不再需要功率损耗检测电路
•简化系统固件，始终保持非易失性

 
简化并降低BOM成本
•无限的耐用性，可安全保存程序代码
•快速写入-以系统总线速度工作的内存
•非易失性，数据保持温度> 20年
•不需要电容器，电池或缓冲液
 
最大化控制系统的数据访问
MRAM在保持非易失性的同时最大化数据收集率

 
由于较长的读/写周期，耐用性限制而导致数据丢失

 
无遗漏数据，写入速度与SRAM一样快，非易失性，无磨损，电源故障期间无数据丢失
 
MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。
 
Everspin AEC认证的汽车应用MRAM

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs) / Tray	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	270	1,500
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	270	1,500
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500	270
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1500	270
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500

本文关键词：MRAM   汽车MRAM

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