Everspin代理1Mb Serial MRAM芯片MR25H10CDC

Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。
 
MR25H10CDC是一款位宽128Kx8的非易失存储器MRAM芯片。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，MR25H10CDC在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40℃至+85℃）和AEC-Q1001级（-40℃至+125℃）工作温度范围选项。MR25H10CDC采用5mmx6mm8引脚DFN封装。两者都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。Everspin代理英尚微支持提供产品相关技术支持。
 
1Mb串行mram特性
•无写入延迟
•无限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时自动数据?；?br /> •块写?；?br /> •快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供8引脚DFN RoHS兼容封装
•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•AEC-Q1001级选项
 
MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。，市场上已有从非常小的 MRAM 芯片到1Gb芯片的MRAM芯片，并且正在将这种技术用于许多应用。这使得 MRAM 适用于汽车、工业、军事和太空应用。

MR25H10系列产品

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple / T&R	MOQ / T&R
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	4000	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	4000	4000

本文关键词：MR25H10CDC  

相关文章： Everspin代理非易失性1Mb串行SPI MRAM--MR25H10MDFR

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。