国产存储16Mbit异步快速SRAM芯片EMI516NF16LM-10I

快速异步型SRAM，存取时间为35ns（或更短）的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型SRAM。
 
国产SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit异步快速随机静态存储器，位宽8*1M字位。该器件采用先进的CMOS工艺和基于6-TR的单元技术制造，专为高速电路技术而设计。它特别适用于高密度高速系统应用。
 
EMI516NF16LM-10I使用8条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度比读取周期中的地址访问时间快。封装采用48FBGA。代理英尚国际有限公司支持提供样品测试及技术支持。
 
EMI516NF16LM-10I特点
•快速访问时间：10ns
•CMOS低功耗待机(TTL)：35mA（最大值）
(CMOS):28mA(Max.)工作:85mA(8ns,Max.)75mA(10ns,Max.)
•3.3V电源
•TTL兼容输入和输出
•完全静态操作，无需时钟或刷新
•三态输出
•数据字节控制(x16模式)LB:I/O0~I/O7,UB:I/O8~I/O15
•标准48FBGA封装类型
•符合ROHS
•工业温度
 
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