Everspin Gbit MRAM芯片
2018-05-11 10:45:55
Everspin宣布它正在采样一个Gbit MRAM芯片，并将于今年投入使用，基于其256 Mbit芯片的1-2 Gbyte卡。闪存峰会上的消息标志着一个小型但重要的进步，即在主流NAND市场仍在上升的市场上，不断增加的持续存储器的集合。
Everspin希望其产品能够找到用固态硬盘和闪存阵列替代DRAM作为非易失性缓冲区和写入缓存的插座。这些卡将使用特殊的Windows和Linux驱动程序提供高达700万次I / O操作/秒和2微秒的延迟Everspin将以开源形式发布。
至少有一家公司将为
Everspin的卡片提供第二个来源。该公司表示，该芯片有一位试用客户，希望能在一年内投入生产。
英特尔成为第一个在主流存储市场推出新内存芯片的公司，其3DXP现在正在SSD中出货。西部数据在2020年之前承诺了阻性RAM，而Everspin去年年底在Spin Transfer Technologies获得了MRAM竞争对手，Spin Transfer Technologies表示将在明年推出Gbit级产品。
“未来，所有的记忆将会持续 - 从现在开始或早些时候可能会有5-7年的时间，但是这是一个期望，一切都是现场和备份的，并且具有最高容量的最高性能的记忆将赢得，”帕特里克帕拉，Everspin营销高级副总裁。
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