今年DRAM 无新增产能 NAND Flash价格先降后升
2018-01-26 15:33:47
2017 年一整年，整体半导体产业不论DRAM 或NAND Flash都是一个黄金好年，那么2018 年能不能持续荣景呢？
综合目前业界专业人士的看法，DRAM 热度有望持续下去，供不应求状况还未改善，但NAND 部分恐怕就没有那么乐观了，由于大厂3D NAND 良率大幅度提升，供给过剩问题已经提前在2017 年第四季爆发，销售额恐怕至少在2018 年上半年都不会太理想，最快也是2018 年第二季达到供需平衡，第三季再度供给吃紧，到时产业由悲转喜。
首先就DRAM大方向来说，2018 年在Fab 端没有新增产能，顶多就是制程从2X 奈米推进到1X 奈米或是1Y 奈米，带动位元的成长。市调单位集邦科技更是直接表示，2018 年各DRAM 厂资本支出计划都比较保守，新增投片量约5～7％，这些新增产能都来自现有工厂产能的重新规划与制程转进。
同时集邦也提到，随着智能手机记忆体容量升级，以及伺服器、资料中心需求量大，2018 年DRAM 需求将成长约20.6％，供给端方面，估计将提升19.6％，因此，2018 年整体DRAM 产业供需持续吃紧，也因此，2018 年各大DRAM 厂商，包括三星、美光，SK 海力士，甚至连台湾的南亚科、华邦电持续稳定获利不成问题。
但目前在DRAM 端有需要注意与观察的一点，首先，虽然2018 年整体DRAM 端无新增Fab 的产能出来，但是三星有计划要在平泽（Pyeongtaek）兴建第二座12 吋厂，SK 海力士也将在无锡兴建第二座12 吋厂，这两大厂的新厂产能最快2019 年才会开出。
但是韩媒在不断的报导，三星将在DRAM 端持续扩大产出的消息，不断动摇市场对DRAM 产业的信心。韩媒特意提到，三星在平泽厂区的半导体厂是两层楼建筑，二楼无尘室差不多完工，这些空间将投入DRAM 的扩建，但是据记忆体业者的透露，这两层楼中，有一层是投入3D NAND 的扩产，至于另外一层楼中，有意置入月产能五万片的DRAM 产线，只是设备商也透露，三星还没有下单采购设备，因此所谓新增五万片的DRAM 产能想在2018 年就开出，真的不太可能。
本文关键词：
DRAM NAND
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