Everspin推出的第一款STT-MRAM
2018-05-03 11:25:38
Everspin最新的MRAM技术是利用自旋扭矩传输特性，即利用极化电流来控制电子的自旋，从而建立自由层的所需磁状态，从而对存储器阵列中的位进行编程或写入。
与Toggle MRAM相比，自旋转矩MRAM或
STT-MRAM可显着降低开关能量，并具有高度可扩展性，可实现更高密度的存储器产品。我们的第三代MRAM技术使用垂直MTJ。我们开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ堆叠设计，可提供长数据保持率，小单元尺寸，更高密度，高耐用性和低功耗。
Everspin推出的第一款STT-MRAM产品采用ST-DDR3，这是一种类似JEDEC的DDR3接口，并需要进行一些修改以充分利用MRAM技术的持久性。这些产品的性能如同持久性DRAM，但无需刷新。其他产品计划将利用高速串行接口用于各种嵌入式应用。
本文关键词：
STT-MRAM
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