Everspin Technologies MR25H40CDC串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序，没有写入延迟，而且耐读/写能力出色。与其他串行存储器不同，这些存储器的读/写操作没有写入延迟。
对于必须通过一小部分I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用，这些Everspin MRAM可以说是理想的存储器解决方案。此系列MRAM采用5 mm x 6 mm 8引脚DFN封装封装，并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。
MR25H40CDC能够运行于工业级（-40°至+85 °C）并在整个温度范围内提供高度可靠的数据存储能力，并可以保持数据不丢失20年，已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输领域。
以下是Everspin串口MRAM的型号：
|
Density
|
Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp |
| 4Mb | 512Kx8 | MR25H40CDC | 8-DFN | 3.3V | -40℃to+85℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR20H40CDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR25H40CDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40 ℃to +85℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR25H40MDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +125℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR20H40CDFR | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃to+85℃ |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10CDC | 8-DFN | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDC | 8-DFN | 3.3V | -40℃ to +125℃ |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10CDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +125℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256CDC | 8-DFN | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDC | 8-DFN | 3.3V | -40℃ to +125℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256CDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +125℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128ACDF | 8-DFN sf | 3.3v | -40 ℃to +85℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128ACDFR | 8-DFN sf | 3.3v | -40 ℃to +85℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128APDF | 8-DFN sf | 3.3v | -40 ℃to +85℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128APDFR | 8-DFN sf | 3.3v | -40 ℃to +85℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDF | 8-DFN sf | 3.3v | -40℃ to +125℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDFR | 8-DFN sf | 3.3v | -40℃ to +125℃ |
本文关键词：Everspin 串行MRAM
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