MRAM走到转折点，存储产业变革即将到来？
2018-01-15 14:35:44
据报道，磁性随机存取内存(MRAM)将在本年达到一个新的转折点。Everspin宣布开始尝试打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，同时他们已经将这款寿命长、非易失性的内存芯片生产提上议程。 Everspin的ST-MRAM能够提供长期的记忆能力，与普通的NAND闪存技术相比，ST-MRAM能够减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性。
ST-MRAM新芯片采用的是一个兼容DDR4的接口。Everspin表示，供应商可以凭借持久的记忆技术设计企业级SSD或对现有的储存产品进行改善。
据了解，ST-MARAM的密度要比Everspin旗下现有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin表示，从Global Foundries的40nm工艺到foundry 28nm工艺的转变是开发这种千兆级芯片的关键点，此外它还展示了公司垂直磁性隧道结(pMTJ)的可扩展性。
首批配备Everspin全新千兆MRAM芯片的产品之一将来自Smart Modular公司。该公司计划发布一款NVMe PCIe硬盘，它的重量和长度都将减半，其将用于元数据缓存和储存加速应用。Smart Modular表示，该产品单元在4K随机读写测试中能够达到1500K IOPS。
早在20多年前，由于MRAM具有不易挥发的特性，被视为取代NAND闪存的潜在高性能产品。不过，从产品容量的角度来说，该技术暂时还无法进入市场参与竞争。
MRAM与快闪记忆体不同，它是使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式，在性能上MRAM有与SRAM不分上下的高速读写能力，以及具备Flash不挥发性的特性，在Cell面积上也和DRAM比例相近，而重复读写次数和DRAM、SRAM相同，操作电压也相似，可以说是集各种记忆体优点于一体的产品。它的主要竞争对手是快闪记忆体，目前一些公司东芝、如三星、Intel正在不断开发更快更高容量的闪存式存储装置。
MRAM的主要优势在于其性能以及低功耗。在不久的将来，内存技术有望超越闪存甚至是DRAM，达到SRAM的水平。只要获得与闪存和DRAM相同的投资力度以及存在同样大的市场需求，MRAM也有望成为未来主流内存产品。
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MRAM SRAM
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